主要特點(diǎn)
內(nèi)置6個(gè)600V/30A的低損耗IGBT;
內(nèi)置高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路;
內(nèi)置欠壓保護(hù)和過溫、過流保護(hù);
內(nèi)置自舉二極管 ;
完全兼容3.3V和5V的MCU的接口,高電平有效;
3個(gè)獨(dú)立的負(fù)直流端用于變頻器電流檢測(cè)的應(yīng)用;
報(bào)警信號(hào):對(duì)應(yīng)于低側(cè)欠壓保護(hù)和短路保護(hù);
封裝體采用DBC設(shè)計(jì),熱阻極低;
絕緣級(jí)別:2500Vrms/min
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